美國商務部宣布，美光已經與美光簽署了一份不具約束力的芯片芯片初步條款備忘錄（PMT），將根據《芯片法案》提供約61.4億美元的法案003直接撥款，另外還有75億美元的億美元補約貸款，以提高美國在尖端存儲半導體生產方面的貼未土競爭力。這些投資將推進美光的生產計劃，即未來20年內將約40%的轉移DRAM芯片生產轉移到美國本土。

美光總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示，這是美光003美國半導體制造的歷史性時刻，而美光領先的芯片芯片內存是滿足人工智能日益增長需求的基礎，這將創造許多高科技就業機會。法案美光擬議的億美元補約投資將分布在紐約州和愛達荷州，以在美國創建一個強大的貼未土領先DRAM芯片生態系統：

紐約州克萊 - 計劃里四座晶圓廠的前兩座，屬于DRAM工廠，生產是轉移美光未來20年內在紐約投資約1000億美元長期投資計劃的第一步。每座晶圓廠擁有600,000平方英尺的潔凈室，四個設施的潔凈室空間總計240萬平方英尺，這是美國有史以來宣布的最大潔凈室空間，面積相當于近40個足球場。

愛達荷州博伊西 - 投資250億美元建造一座大型晶圓廠，潔凈室約600,000平方英尺，專注于生產領先的DRAM芯片。這與美光的研發設施位于同一地點，以提高其研發和制造業務的效率，減少技術轉讓的滯后，并縮短尖端內存產品的上市時間。

美光承諾，未來六年內斥資500億美元建造前三座晶圓廠，預計將在紐約州創造9000多個制造和設施工作崗位以及4500個建筑工作崗位，并在愛達荷州創造2000多個制造和設施工作崗位以及4500個建筑工作崗位。